韩媒：长鑫存储HBM3取得突破，与韩国的技术差距缩小到2-3年！
12月4日，韩国媒体《先驱经济》发表文章称，过去专注于低成本通用存储器的中国半导体产业正在发生巨变，随着包括高带宽存储器（HBM）、NAND闪存和DRAM在内的尖端产品的快速发展，中国甚至实现了跨代迭代，正在迅速追赶，将与韩国的技术差距缩小到两到三年。一些分析人士认为，中国存储器企业的这种追赶态势，可能成为存储器超级周期中的关键变量。代发鸟靠谱吗了解到，据业内人士透露，中国长鑫存储近日开始向华为供应第四代高带宽内存（HBM3）样品。
长鑫存储采用16纳米DRAM工艺制造的HBM3芯片计划于明年初量产，第五代HBM3E产品则计划于2027年推出。有外媒指出，尽管该公司“落后全球领先企业三到四年”，但这代表着“中国半导体自主化进程中具有象征意义的一步”。代发鸟靠谱吗推测，这一进展将进一步推动行业的发展。
长鑫存储的HBM3芯片采用了“MR-MUF”封装技术，该技术也被韩国领先的SK海力士公司所采用。这种方法有利于高层堆叠，结合公司自主研发的键合工艺，可以说显著提升了整体技术水平。据称，长鑫存储在2024年成功量产DDR5 DRAM后，通过优化光掩模和散热结构，提高了良品率，在2025年下半年平均良率超过80%。DDR5跳过了17纳米工艺，直接采用了16纳米工艺。
代发鸟靠谱吗观察到，长鑫存储也在加速研发用于移动设备的下一代低功耗DRAM。在其官网上宣布“国内首个LPDDR5X量产”，并表示其12Gb和16Gb容量的LPDDR5X最高运行速度可达10.7Gbps。这一性能与三星电子和SK海力士最新的LPDDR5X产品相当。
全球投资银行摩根士丹利在最近的一份报告中评估道：“由人工智能需求驱动的内存超级周期已经真正开始，而中国长鑫存储的增长正在成为市场竞争中的一个变数。”
据市场研究公司Counterpoint Research的数据, 长鑫存储 的 DRAM 市场份额从去年第三季度 的 3% 上升 到今年第二季度 的 5%,预计 到2027 年 将达到10%。
